韓國研究團隊開發(fā)出一種突破性的非晶態(tài)半金屬材料，其特性不同于傳統(tǒng)金屬，為下一代半導體技術的進步鋪平了道路。

1月3日，由亞洲大學智能半導體工程與電子工程系教授權毓仁 (Oil Kwon) 帶領的研究人員宣布，他們通過國際合作成功創(chuàng)造出一種超薄非晶態(tài)半金屬材料。

傳統(tǒng)金屬的電阻率會隨著厚度的減小而增大，而新材料則不同，隨著厚度的減小，電阻率會減小。

半導體制造領域的變革者

這種名為拓撲半金屬的新型材料與當前的半導體制造工藝高度兼容。其生長溫度低至 400°C 以下，無需高溫工藝，因此可以輕松集成到現有系統(tǒng)中。

盡管該材料具有非晶結構，缺乏傳統(tǒng)薄膜金屬的晶體特性，但仍保留了優(yōu)異的導電性。

這一進展解決了采用新型半導體互連材料的兩個關鍵挑戰(zhàn)：與當前制造工藝的兼容性以及在低溫條件下運行的能力，從而*大限度地減少對半導體器件的潛在損壞。

邁向商業(yè)化

研究團隊目前正在開發(fā)一種用于該材料的原子層沉積 (ALD) 工藝。ALD 以其在原子級控制薄膜厚度的精度而聞名，被視為將該技術商業(yè)化用于高度微型化半導體器件的關鍵一步。

“這項研究代表著一項重大突破，因為它通過實驗驗證了一種*的全新材料，”Kwon教授說�！斑@種新材料可以成為未來半導體技術的顛覆性解決方案，突破現有材料的局限性，提供無限的應用。”

國際合作與認可

這項研究由斯坦福大學 Eric Pop 教授和 Asir Intizar Khan 博士等研究人員合作開展，發(fā)表在著名期刊《科學》1 月刊上，題為“超薄非晶態(tài) NbP 半金屬中的表面?zhèn)鲗Ш徒档偷碾娮杪省薄?

亞洲大學的研究人員專注于材料合成、機理和特性研究，而斯坦福大學的團隊則致力于材料合成及其電氣特性分析。

這項創(chuàng)新使韓國在開發(fā)半導體行業(yè)*材料方面處于*地位，為解決未來器件的技術挑戰(zhàn)提供了潛在的飛躍。

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